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三星128層第六代V-NAND已量產,2020年投入市場

2019-12-02 15:49來源:騰訊科技
導讀:三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128層256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于該技術已批量生產250GB SATA SSD

日前,在舉行的Samsung SSD Forum 2019 Tokyo上,三星電子存儲器部門產品規劃團隊高級董事總經理Jinman表示,三星128層第六代V-NAND已實現了512Gb TLC容量的量產,計劃于2020年投入市場應用,且正在針對5年內達到500層或更多層的堆棧進行研究。

三星128層第六代V-NAND已量產,2020年投入市場

三星V-NAND技術規劃

三星128層第六代V-NAND已量產,2020年投入市場

三星第六代V-NAND技術

三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128層256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于該技術已批量生產250GB SATA SSD,如今實現了第六代128層512Gb TLC 3D NAND的量產,將加快導入到SSD和eUFS的應用。

128層3D NAND,三星與SK海力士公開展開競爭

128層3D NAND是96層下一代技術,除了三星,SK海力士也是在6月份宣布推出首款128層TLC 4D NAND,11月份向主要客戶交付基于128層1Tb 4D NAND的工程樣品,并較預期提前量產,基于該技術將推出1TB UFS 3.1、2TB客戶端cSSD、16TB企業級eSSD,計劃于2020年實現在5G手機、PC、企業級市場的商用。

三星128層第六代V-NAND已量產,2020年投入市場

SK海力士128層4D NAND

三星128層第六代V-NAND已量產,2020年投入市場

SK海力士基于128層4D NAND的產品

在128層3D NAND技術上,三星和SK海力士發展的時間進程大體一致,西部數據/鎧俠、美光等雖有128層3D NAND技術,但尚未公開發布基于該技術的產品,所以與三星公開展開競爭的是SK海力士。

根據Jinman介紹,三星第六代V-NAND實現的是128層堆疊,1200Mbps的IO速率,量產的是256Gb、512Gb容量。值得注意的是,與SK海力士128層4D NAND量產1Tb相比,就目前而言三星128層量產的256Gb、512Gb在容量上略遜一籌,這是關鍵的競爭要素,因為將直接影響到產品的成本競爭力。

不過,三星基于128層3D NAND技術也會量產1Tb,這是毋庸置疑的,只是時間問題而已。

兩“虎”相爭,良率和量產規模備受關注!

當然,產品市場競爭力也不能僅僅從3D層數、容量等角度單一衡量,當今的NAND Flash設計更需要綜合考慮層數、存儲單元間距、單元厚度、功耗、整體性能、投資效益等諸多因素,還有量產的良率等等,也是市場競爭的要素。

據悉,三星新建成的平澤2號工廠首先建設的是一條NAND Flash生產線,然后會再投資建設DRAM產線,與平澤一期工廠的規劃將大體一致。之前,有報道稱三星平澤2號工廠(P2)設備投資減緩,但近期有相關行業人士表示,三星要求平澤2號工廠的設備交貨日期不變。三星也在最新季度財報電話會議上表示,計劃在2020年運營平澤2號工廠,但尚未確定大規模生產的時間。

三星128層第六代V-NAND已量產,2020年投入市場

平澤工廠外貌圖

根據三星目前128層3D NAND技術發展,以及工廠進度規劃,預計2020上半年投產的計劃不變,且將可能量產的是第六代128層V-NAND。SK海力士128層3D NAND也將在2020年進入投產階段,新工廠除了已經運營的M15,正在新建的M16工廠將在2020年底完工,這使得業內人士對2020年NAND Flash供應增加表示擔憂。

據各原廠技術發展,2020年96層3D NAND才是主流技術,128層3D NAND占比不會太高,而且原廠新工廠是為了3D NAND技術順利過渡,產出也會視需求而定。至于市場需求,均看好5G手機,物聯網、人工智能、車聯網等帶來的大數據存儲需求,對2020 存儲產業看法持樂觀的態度。

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關鍵詞 :
三星 3D NAND
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