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SRAM存儲器原理介紹

2015-02-07 14:20來源:中國存儲網
導讀:SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器,SRAM主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。

SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。 

SRAM主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。例如,很多8 BIT MCU,由于能支持的RAM比較小,內部緩存又不夠;或者16 BIT MCU,支持的RAM比較大,但對功耗有要求而無法用DRAM的系統。
SRAM與DRAM的區別

 

SRAM

DRAM

結構

     6個晶體管為1個存儲單元(GIGADEVICE2晶體管,但STANDBY電流大),

1個晶體管為1個存儲單元,但需要刷新。

 

工作狀態下

10Ma-30mA

100mA以上  

Standby(待機)

1uA-20uA  

10mA以上

存取速度  

快的一般為10、12、15nS左右,慢的一般為55nS70nS  

快,一般小于10nS

容量  

目前最大到16M BIT  

單片能到 512M BIT  

  SRAM的應用領域

應用領域

通信、儀器儀表等

字典機、POS、打印機、游戲機、工控、儀器儀表等

10mA以上

容量(BIT)

256K、1M、2M、4M

256K、1M、2M、4M、8M、16M

快,一般小于10nS

容量  

目前最大到16M BIT  

單片能到 512M BIT  

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關鍵詞 :
SRAM 存儲器
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