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各種存儲器比較(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

2017-02-07 14:00來源:中國存儲網
導讀:各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出憶阻器在集成密度,數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢
各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)各種存儲器比較(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

綜合起來可以看出憶阻器在集成密度,數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢,

Endurance:代表器件最大的擦寫次數;

STTRAM:自旋扭矩轉換隨機存儲器,物理機制是磁致阻變效應;

SRAM:靜態隨機存儲器,主要用來制造CPU與主板之間的緩存。

  • 優點是速度快(可以看到這種存儲器的讀寫速度是最快的);
  • 缺點是集成密度低,掉電不能保存數據。

DRAM:動態隨機存儲器,用途主要在內存上。憶阻器的大部分參數可以和DRAM相比,也可以用來制造內存。

Flash(NAND):閃存。用途:固態硬盤,便攜式存儲器。

HDD:硬盤。

  • 優點是價格低廉(這種存儲器的單位容量所需要的價格是最低的,
  • 缺點也是顯而易見的,讀寫速度比其他存儲器低很多數量級。
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關鍵詞 :
存儲器 SRAM STT RAM
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